Vertikaler Hallsensor und Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Hallsensors

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP2503612

Aktenzeichen

EP12160122

Anmeldetag

19. März 2012

Veröffentlichung

29. April 2020

Erteilung

29. April 2020

Rechtsraum

EP

IPC

H01L43/06H01L43/14G01R33/07

Abstract

Die Erfindung betrifft einen in einen Halbleiterchip (1) integrierten vertikalen Hallsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der vertikale Hallsensor weist eine elektrisch leitenden Wanne (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps auf, die in ein elektrisch leitendes Gebiet (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps eingebettet ist. Die elektrischen Kontakte (4) sind entlang einer Geraden (6) an einer planaren Oberfläche (5) der elektrisch leitenden Wanne (2) angeordnet. Die elektrisch leitende Wanne (2) wird mittels hochenergetischer Ionenimplantation und anschliessender Erwärmung erzeugt, so dass sie ein Dotierungsprofil aufweist, das entweder ein Maximum hat, das sich in einer Tiefe T 1 von der planaren Oberfläche (5) der elektrisch leitenden Wanne (2) befindet, oder bis zu einer Tiefe T 2 im wesentlichen konstant ist.

Anmelder

Firmen

Melexis Technologies NV
X-FAB Semiconductor Foundries AG

Land

🇧🇪 Belgien

Fachgebiete