Verfahren zur Bildung einer Epitaxenschicht, insbesondere auf Quellen- und Drainregionen eines Transistors mit totaler Abreicherung
EP2506290
Art A1
3. Oktober 2012
Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, STmicroelectronics SA 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2506290
- Aktenzeichen
- EP12162349
- Anmeldetag
- 30. März 2012
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L29/08H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
STmicroelectronics SA - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Dossmann, Gérard
München, Deutschland
1.133
Patente gesamt
34
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Casalonga, Axel
Casalonga · München