Verfahren zur Herstellung einer Germaniumoxidschicht und Material für elektronische Vorrichtung

EP2506293 Art A1 3. Oktober 2012

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2506293
Aktenzeichen: EP12162087
Anmeldetag: 29. März 2012
Veröffentlichung: 3. Oktober 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3105H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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