Dünnfilm-Transistor und Herstelungsverfahren Dafür, Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür und Anzeigevorrichtung
EP2506307
Art A1
3. Oktober 2012
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2506307
- Aktenzeichen
- EP10832906
- Anmeldetag
- 21. Juli 2010
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786G02F1/136G02F1/1368H01L21/28H01L21/336H01L21/768H01L27/146G02F1/1362H01L29/417H01L29/66H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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