Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
EP2507822
Art B1
31. August 2016
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2507822
- Aktenzeichen
- EP10834485
- Anmeldetag
- 11. November 2010
- Veröffentlichung
- 31. August 2016
- Erteilung
- 31. August 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/465H01L21/477H01L29/786H01L29/04H01L29/66H01L21/324H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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