Verfahren zur Herstellung einer Soi-Struktur mit Niedrigem Elektrischem Verlust und Zugehörige Struktur
EP2507827
Art A1
10. Oktober 2012
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2507827
- Aktenzeichen
- EP10785433
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 10. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Fachgebiete
Vertreten von
Branger, Jean-Yves
Saint-Grégoire, Frankreich
141
Patente gesamt
25
Fachgebiete
5
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes