Deckschicht Zusammensetzungen für Photoresist und Immersionsfotolithografisches Verfahren unter deren Verwendung

EP2511766 Art B1 31. Juli 2013

Anmelder: Rohm and Haas Electronic Materials LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2511766
Aktenzeichen
EP12163989
Anmeldetag
12. April 2012
Veröffentlichung
31. Juli 2013
Erteilung
31. Juli 2013
Rechtsraum
EP
IPC
G03F7/20G03F7/004G03F7/038G03F7/039G03F7/11
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Rohm and Haas

Ehemaliger US-amerikanischer Spezialchemiekonzern mit Sitz in Philadelphia, unter anderem für Kunststoffe, Beschichtungen und Elektronikchemikalien bekannt. Wurde 2009 von Dow Chemical übernommen.

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