Schicht aus Algan vom Typ P, Verfahren zu Ihrer Herstellung und Lichtemittierendes Gruppe-Iii-Nitridhalbleiterelement
EP2511947
Art A1
17. Oktober 2012
Anmelder: DOWA Electronics Materials Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2511947
- Aktenzeichen
- EP10836105
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 17. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C23C16/34C23C16/455H01L33/32C23C16/30H01L21/02H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
DOWA Electronics Materials
DOWA Electronics Materials ist ein japanisches Unternehmen der DOWA-Gruppe für elektronische Werkstoffe und Metallpulver. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Fertigungstechnik, ergänzt durch anorganische Chemie und Metallurgie. Anmeldungen reichen von 2001 bis in die Gegenwart.
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