Gruppe-Iii-Nitrid-Kristallsubstrat, Gruppe-Iii-Nitrid-Kristallsubstrat mit einer Epitaktischen Schicht sowie Halbleitervorrichtung und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP2514858 Art A1 24. Oktober 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2514858
Aktenzeichen: EP10837390
Anmeldetag: 15. November 2010
Veröffentlichung: 24. Oktober 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L33/32H01S5/343C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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