Mosfet mit Gate-Pulldown
EP2517356
Art A2
31. Oktober 2012
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2517356
- Aktenzeichen
- EP10840116
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 31. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/687H03K17/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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