Halbleiterbauelement
EP2518767
Art A3
27. Juli 2016
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2518767
- Aktenzeichen
- EP12164941
- Anmeldetag
- 20. April 2012
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/105H01L27/115H01L29/768H01L29/423H01L29/49H01L29/78H01L29/786H01L27/092H01L49/02H01L29/04H01L29/16// H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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