Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement

EP2518773 Art B1 10. September 2014

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2518773
Aktenzeichen: EP12165147
Anmeldetag: 23. April 2012
Veröffentlichung: 10. September 2014
Erteilung: 10. September 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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