Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiter-Laserelement, Verfahren zur Herstellung des Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiter-Laserelements und Epitaktisches Substrat

EP2518840 Art A1 31. Oktober 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2518840
Aktenzeichen: EP10839085
Anmeldetag: 11. November 2010
Veröffentlichung: 31. Oktober 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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