Halbleiterbauelement
EP2519969
Art A1
7. November 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2519969
- Aktenzeichen
- EP10840857
- Anmeldetag
- 2. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 7. November 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8247G11C11/402G11C11/405H01L21/8242H01L27/108H01L27/115H01L29/786H01L29/788H01L29/792H01L21/84H01L27/105H01L27/12H01L27/13// G11C16/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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