Optoelektronischer Halbleiterchip mit Zwei auf Algan Basierenden Zwischenschichten
EP2519979
Art B1
18. Dezember 2019
Anmelder: OSRAM Opto Semiconductors GmbH 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2519979
- Aktenzeichen
- EP10798083
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2019
- Erteilung
- 18. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00H01L33/32H01L33/38// H01L33/22H01L33/16H01L33/12H01L33/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- OSRAM Opto Semiconductors GmbH
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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