Metallträger für den Schichttransfer und Verfahren zu dessen Bildung

EP2521167 Art B1 21. Juni 2017

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2521167
Aktenzeichen: EP12153918
Anmeldetag: 3. Februar 2012
Veröffentlichung: 21. Juni 2017
Erteilung: 21. Juni 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L33/00H01S5/02H01L31/00H01S5/323

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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