Halbleitergerät und elektronisches Gerät
EP2521259
Art B1
12. Juni 2019
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2521259
- Aktenzeichen
- EP12002997
- Anmeldetag
- 27. April 2012
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2019
- Erteilung
- 12. Juni 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F1/22H03K17/10H03K17/16H03K17/567
Abstract
A semiconductor device including: an FET; a MOSFET having a drain thereof connected with a source of the FET; a resistor having one end thereof connected with a gate of the FET and having the other end thereof connected with a source of the MOSFET; and a diode having an anode thereof connected with the gate of the FET and having a cathode thereof connected with the source of the MOSFET.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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