FET Sensor mit zweifachem Gate
EP2522993
Art B1
25. November 2015
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2522993
- Aktenzeichen
- EP11165350
- Anmeldetag
- 9. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 25. November 2015
- Erteilung
- 25. November 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N27/414
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
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