Kombinierte High-K Metal Gate-Substratvorrichtung und Oxid-Polysilizium-Gate-Vorrichtung, und Verfahren zur Herstellung davon
EP2525396
Art A2
21. November 2012
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2525396
- Aktenzeichen
- EP12001969
- Anmeldetag
- 20. März 2012
- Veröffentlichung
- 21. November 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Vertreten von
Jehle, Volker Armin
München, Deutschland
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