Bipolarer Transistor mit Isoliertem Gate und Herstellungsverfahren dafür

EP2525410 Art A1 21. November 2012

Anmelder: Zhejiang University, Huayue Microelectronics Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2525410
Aktenzeichen: EP11826363
Anmeldetag: 11. Juli 2011
Veröffentlichung: 21. November 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L21/331H01L29/06H01L29/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Zhejiang University
Huayue Microelectronics Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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