Formierung von Geräten durch übermässiges Wachstum der Epitaxialschicht

EP2528087 Art B1 29. Juni 2016

Anmelder: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2528087
Aktenzeichen: EP12177269
Anmeldetag: 18. September 2009
Veröffentlichung: 29. Juni 2016
Erteilung: 29. Juni 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L31/042H01L31/18H01L31/0687

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Land: 🇹🇼 Taiwan

🇹🇼 Taiwan Semiconductor Manufacturing

Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) ist der weltweit größte reine Halbleiter-Auftragsfertiger mit Sitz in Hsinchu, Taiwan. Der weit überwiegende Teil des Patentportfolios betrifft Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen durchgehend von 2000 bis 2022.

354 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von