Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterbauelement
EP2528117
Art A1
28. November 2012
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2528117
- Aktenzeichen
- EP10843086
- Anmeldetag
- 22. September 2010
- Veröffentlichung
- 28. November 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/32H01L21/28H01L33/14H01L33/40H01L29/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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