Gan-Halbleiter-Lichtemissionselement und Verfahren zu Seiner Herstellung
EP2528119
Art A1
28. November 2012
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2528119
- Aktenzeichen
- EP11732997
- Anmeldetag
- 18. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 28. November 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/32H01S5/343
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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