Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterlaserelement sowie Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-Nitrid-Halbleiterlaserelements

EP2528175 Art A1 28. November 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2528175
Aktenzeichen: EP10843111
Anmeldetag: 16. November 2010
Veröffentlichung: 28. November 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.186 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von