Herstellungsverfahren für eine Gcib-Behandelte Resistive Vorrichtung

EP2529400 Art B1 20. Juli 2016

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2529400
Aktenzeichen
EP11737394
Anmeldetag
25. Januar 2011
Veröffentlichung
20. Juli 2016
Erteilung
20. Juli 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8247
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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