Herstellungsverfahren für Halbleiter-Wafer
EP2530709
Art B1
9. September 2015
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2530709
- Aktenzeichen
- EP11168688
- Anmeldetag
- 3. Juni 2011
- Veröffentlichung
- 9. September 2015
- Erteilung
- 9. September 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78H01L23/544
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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