Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2533291 Art A3 17. Mai 2017

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2533291
Aktenzeichen: EP12170980
Anmeldetag: 6. Juni 2012
Veröffentlichung: 17. Mai 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L29/78H01L21/336H01L23/485H01L21/3105// H01L23/528H01L27/088

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von