Amorphe Oxiddünnschicht, Dünnfilmtransistor damit sowie Verfahren zur Herstellung des Dünnschichttransistors
EP2533293
Art A1
12. Dezember 2012
Anmelder: NEC Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2533293
- Aktenzeichen
- EP11737215
- Anmeldetag
- 1. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786C23C14/08C23C14/34H01L21/363H01L21/368
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NEC Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NEC
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.
18.204 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Töpken, Enno
München, Deutschland
19
Patente gesamt
13
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Glawe, Delfs, Moll
Glawe Delfs Moll · Hamburg