Anhand einer Vertiefung Hergestellte Speicherzelle und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP2534689
Art A1
19. Dezember 2012
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2534689
- Aktenzeichen
- EP11702106
- Anmeldetag
- 21. Januar 2011
- Veröffentlichung
- 19. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/28B82Y40/00B82Y10/00H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Tothill, John Paul
London, Großbritannien
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