Chip mit einem integrierten Schaltkreis und einer Schutzvorrichtung gegen Angriffe

EP2535932 Art B1 19. März 2014

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2535932
Aktenzeichen
EP12168455
Anmeldetag
18. Mai 2012
Veröffentlichung
19. März 2014
Erteilung
19. März 2014
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/58H01L21/763
Offizieller Volltext

Abstract

The integrated circuit chip (31) has n-type well (5) and p-type well (7) formed in an upper portion of a p-type semiconductor substrate (3). A protection device, which ensures the chip against attacks, has a trench between the wells. The trench has insulated walls (27) filled with a conductive material (29). The trench extends from upper surfaces of the wells to a lower portion of the substrate below the wells. A detector (33) senses a modification of a stray capacitance between the conductive material and a region of the chip. Independent claims are also included for the following: (1) a method of forming an integrated circuit chip; and (2) a method of protecting an integrated circuit chip.

Anmelder

Firma
STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

321 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen