Chip mit einem integrierten Schaltkreis und einer Schutzvorrichtung gegen Angriffe
Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2535932
- Aktenzeichen
- EP12168455
- Anmeldetag
- 18. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 19. März 2014
- Erteilung
- 19. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/58H01L21/763
Abstract
The integrated circuit chip (31) has n-type well (5) and p-type well (7) formed in an upper portion of a p-type semiconductor substrate (3). A protection device, which ensures the chip against attacks, has a trench between the wells. The trench has insulated walls (27) filled with a conductive material (29). The trench extends from upper surfaces of the wells to a lower portion of the substrate below the wells. A detector (33) senses a modification of a stray capacitance between the conductive material and a region of the chip. Independent claims are also included for the following: (1) a method of forming an integrated circuit chip; and (2) a method of protecting an integrated circuit chip.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics (Rousset) SAS
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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