Siliziumcarbid-Isoliertes Gate-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren davon

EP2538444 Art B1 24. März 2021

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2538444
Aktenzeichen: EP11744541
Anmeldetag: 7. Februar 2011
Veröffentlichung: 24. März 2021
Erteilung: 24. März 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/12H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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