Verfahren zur Beseitigung von Materialfragmenten auf der Oberfläche einer Mehrschichtstruktur
EP2539922
Art A2
2. Januar 2013
Anmelder: Soitec 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2539922
- Aktenzeichen
- EP11707462
- Anmeldetag
- 7. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 2. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soitec
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Desormiere, Pierre-Louis
Paris, Frankreich
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