Herstellungsverfahren für eine Speicherzelle mit Siliziumhaltiger Kohlenstoffschaltschicht
EP2539936
Art B1
6. April 2016
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2539936
- Aktenzeichen
- EP11703361
- Anmeldetag
- 9. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 6. April 2016
- Erteilung
- 6. April 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/24H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
308 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Tothill, John Paul
London, Großbritannien
844
Patente gesamt
28
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte