Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschicht

EP2539942 Art B1 14. September 2016

Anmelder: OC3 AG, Solarion AG, Solarion Ag 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2539942
Aktenzeichen: EP10706524
Anmeldetag: 22. Februar 2010
Veröffentlichung: 14. September 2016
Erteilung: 14. September 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/032C23C14/06C23C14/22H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: OC3 AG
Solarion AG
Solarion Ag
Land: 🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Rothe, Silke Leipzig, Deutschland

13

Patente gesamt

14

Fachgebiete

1

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Fahrzeugtechnik (Automobil, Bahn & Schiff) Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Verfahrens- & Trenntechnik Kunststoff- & Polymertechnik

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