Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2541625 Art A1 2. Januar 2013

Anmelder: National University Corporation Hokkaido University, Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2541625
Aktenzeichen: EP11747358
Anmeldetag: 23. Februar 2011
Veröffentlichung: 2. Januar 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/34B82B1/00B82B3/00H01L29/06H01L33/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National University Corporation Hokkaido University
Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National University Corporation Hokkaido University

Staatliche japanische Universität in Sapporo mit breiter Forschung, u.a. in Agrarwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialwissenschaften.

882 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

19.779 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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