Herstellungsverfahren für Halbleiter-Transistor
Anmelder: Furukawa Electric Co., Ltd., Tohoku University, Fuji Electric Co., Ltd., Advanced Power Device Research Association 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2544224
- Aktenzeichen
- EP11750723
- Anmeldetag
- 2. März 2011
- Veröffentlichung
- 9. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285H01L29/45// H01L29/78H01L29/20H01L21/336H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Furukawa Electric Co., Ltd.
Tohoku University
Fuji Electric Co., Ltd.
Advanced Power Device Research Association - Land
- 🇯🇵 Japan
Furukawa Electric ist ein japanischer Hersteller von Glasfaserkabeln, elektronischen Bauteilen und Kupferprodukten für die Telekommunikations- und Automobilindustrie.
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Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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