Halbleiter-Transistor
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., Tohoku University, Furukawa Electric Co., Ltd., Advanced Power Device Research Association 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2544240
- Aktenzeichen
- EP11750724
- Anmeldetag
- 2. März 2011
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2017
- Erteilung
- 11. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/51H01L21/28H01L29/78H01L21/336H01L21/316C23C16/44// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fuji Electric Co., Ltd.
Tohoku University
Furukawa Electric Co., Ltd.
Advanced Power Device Research Association - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Furukawa Electric ist ein japanischer Hersteller von Glasfaserkabeln, elektronischen Bauteilen und Kupferprodukten für die Telekommunikations- und Automobilindustrie.
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