Verfahren zur Herstellung eines Nitridhalbleiterelements, Lichtemittierendes Nitridhalbleiterelement und Lichtemittierende Vorrichtung

EP2544250 Art B1 8. Januar 2020

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2544250
Aktenzeichen: EP11750532
Anmeldetag: 23. Februar 2011
Veröffentlichung: 8. Januar 2020
Erteilung: 8. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205H01L21/02H01L33/12// H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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