Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit einer vergrabenen Elektrode durch direkte Übertragung
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2546189
- Aktenzeichen
- EP12175740
- Anmeldetag
- 10. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2020
- Erteilung
- 12. Februar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C3/00G01P15/125G01C19/5769
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
8.393 Patente in unserer Datenbank
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.629 Patente in unserer Datenbank
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.413 Patente in unserer Datenbank