Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit einer vergrabenen Elektrode durch direkte Übertragung
EP2546189
Art B1
12. Februar 2020
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2546189
- Aktenzeichen
- EP12175740
- Anmeldetag
- 10. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2020
- Erteilung
- 12. Februar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C3/00G01P15/125G01C19/5769
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
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