Verfahren zum Übertragen einer monokristallinen Halbleiterschicht auf ein Trägersubstrat

EP2551897 Art B1 11. Oktober 2017

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2551897
Aktenzeichen: EP12170710
Anmeldetag: 4. Juni 2012
Veröffentlichung: 11. Oktober 2017
Erteilung: 11. Oktober 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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