Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters
EP2551901
Art A1
30. Januar 2013
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2551901
- Aktenzeichen
- EP12178335
- Anmeldetag
- 27. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 30. Januar 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/525
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Schoppe, Zimmermann, Stöckeler
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