Herstellungsverfahren eines LICHTEMITTIERENDEn NITRID-HALBLEITERELEMENTS

EP2551925 Art B1 22. August 2018

Anmelder: Nichia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2551925
Aktenzeichen
EP11759434
Anmeldetag
23. März 2011
Veröffentlichung
22. August 2018
Erteilung
22. August 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/42H01L33/32// H01L33/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Nichia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Nichia

Japanischer Hersteller von LEDs und Halbleiterbauelementen, bekannt als Erfinder der ersten hocheffizienten blauen Leuchtdiode.

967 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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