Integrierte Schaltung mit einem Gassensor und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Integrierten Schaltung
EP2554981
Art B1
19. März 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2554981
- Aktenzeichen
- EP11191420
- Anmeldetag
- 30. November 2011
- Veröffentlichung
- 19. März 2014
- Erteilung
- 19. März 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N27/12G01N33/00G01N27/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Crawford, Andrew
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