Epitaktisches Substrat für ein Halbleiterelement und Halbleiterelement

EP2555232 Art A1 6. Februar 2013

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2555232
Aktenzeichen
EP11759239
Anmeldetag
14. März 2011
Veröffentlichung
6. Februar 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/338H01L21/205H01L21/28H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/872H01L29/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NGK Insulators, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

4.049 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen