Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit mehreren bipolaren Transistoren und integrierte Schaltung mit mehreren bipolaren Transistoren
EP2555235
Art B1
18. Juni 2014
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2555235
- Aktenzeichen
- EP11176278
- Anmeldetag
- 2. August 2011
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2014
- Erteilung
- 18. Juni 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8222H01L21/8228H01L27/082
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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