Verfahren zur Herstellung einer Siliciummembran

EP2556882 Art B1 9. November 2022

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2556882
Aktenzeichen: EP11758358
Anmeldetag: 28. Januar 2011
Veröffentlichung: 9. November 2022
Erteilung: 9. November 2022
Rechtsraum: EP
IPC: B01D71/02B01D69/10B01D69/12C04B41/85B01D67/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Verfahrens- & Trenntechnik

Vertreten von