Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP2562794 Art A1 27. Februar 2013

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2562794
Aktenzeichen: EP10850023
Anmeldetag: 17. September 2010
Veröffentlichung: 27. Februar 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L21/8234H01L21/28H01L29/41

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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