Entfernen von Aluminiumnitridbereichen
EP2562800
Art A3
13. November 2013
Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2562800
- Aktenzeichen
- EP12181406
- Anmeldetag
- 22. August 2012
- Veröffentlichung
- 13. November 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66H01L33/00H01L21/67
Abstract
Approaches for substantially removing bulk aluminum nitride (140) from one or more layers (150) epitaxially grown on the bulk aluminum nitride (AIN) are discussed. The bulk AIN (140) is exposed to an etchant during an etching process. During the etching process, the thickness of the bulk AIN can be measured and used to control etching.
Anmelder
- Firma
- Palo Alto Research Center Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Palo Alto Research Center
US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Jones, Helen M.M
London, Großbritannien
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Gill Jennings & Every LLP
Gill Jennings & Every LLP · London