Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen integrierten Schaltkreises
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2562802
- Aktenzeichen
- EP12181068
- Anmeldetag
- 20. August 2012
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2020
- Erteilung
- 8. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/06H01L21/84
Abstract
The method involves producing a substrate comprising semiconductor layers between which a third material layer i.e. sacrificial layer, is placed. Metal oxide semiconductor (MOS) transistor (140) e.g. P channel MOS transistor, whose active area is formed in a portion of one of the semiconductor layers, is formed. Another MOS transistor (172), whose active area is formed in a silicon portion (152) of another semiconductor layer, is formed. The active area of the latter MOS device is placed between a gate material (162) of the latter MOS transistor and the active area of the former transistor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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