Vorrichtungen mit entfernten Aluminiumnitridabschnitten
EP2562826
Art B1
28. Juni 2017
Anmelder: Palo Alto Research Center Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2562826
- Aktenzeichen
- EP12181790
- Anmeldetag
- 24. August 2012
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2017
- Erteilung
- 28. Juni 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/00
Abstract
One or more layers are epitaxially grown on a bulk crystalline AlN substrate. The epitaxial layers include a surface which is the initial surface of epitaxial growth of the epitaxial layers. The AlN substrate is substantially removed over a majority of the initial surface of epitaxial growth.
Anmelder
- Firma
- Palo Alto Research Center Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Palo Alto Research Center
US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.
858 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Jones, Helen M.M
London, Großbritannien
946
Patente gesamt
31
Fachgebiete
20
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Gill Jennings & Every LLP
Gill Jennings & Every LLP · London